高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Getting high-efficiency photoluminescence from Si nanocrystals in SiO2 matrix
作者: Wang YQ;  Kong GL;  Chen WD;  Diao HW;  Chen CY;  Zhang SB;  Liao XB
发表日期: 2002
摘要: Silicon nanocrystals in SiO2 matrix are fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition followed by thermal annealing. The structure and photoluminescence (PL) of the resulting films is investigated as a function of deposition temperature. Drastic improvement of PL efficiency up to 12% is achieved when the deposition temperature is reduced from 250 degreesC to room temperature. Low-temperature deposition is found to result in a high quality final structure of the films in which the silicon nanocrystals are nearly strain-free, and the Si/SiO2 interface sharp. The demonstration of the superior structural and optical properties of the films represents an important step towards the development of silicon-based light emitters. (C) 2002 American Institute of Physics.
KOS主题词: Porous silicon;  metallic superlattices;  Luminescence;  FABRICATION;  grain growth
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1618.pdf51KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Wang YQ; Kong GL; Chen WD; Diao HW; Chen CY; Zhang SB; Liao XB .Getting high-efficiency photoluminescence from Si nanocrystals in SiO2 matrix ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2002,81 (22):4174-4176
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Wang YQ]的文章
 [Kong GL]的文章
 [Chen WD]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Wang YQ]的文章
 [Kong GL]的文章
 [Chen WD]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发