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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
作者: Wu J;  Zeng YP;  Cui LJ;  Zhu ZP;  Wang BX;  Wang ZG
发表日期: 2002
摘要: Diagonal self-assembled InAs quantum wire (QWR) arrays with the stacked InAs/In0.52Al0.48As structure are grown on InP substrates, which are (001)-oriented and misoriented by 6degrees towards the [100] direction. Both the molecular beam epitaxy (MBE) and migration enhanced epitaxy (MEE) techniques are employed. Transmission electron microscopy reveals that whether a diagonal InAs QWR array of the stacked InAs/InAlAs is symmetrical about the growth direction or not depends on the growth method as well as substrate orientation. Asymmetry in the diagonal MEE-grown InAs QWR array can be ascribed to the influence of surface reconstruction on upward migration of adatoms during the self-assembly of the InAs quantum wires.
KOS主题词: Epitaxy;  Gallium arsenide
刊名: INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu J; Zeng YP; Cui LJ; Zhu ZP; Wang BX; Wang ZG .Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate ,INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B,2002 ,16 (28-29):4423-4426
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