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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film
作者: Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Han HX;  Ding K
发表日期: 2002
摘要: The optical band gap (E-g) of the boron (B)-doped hydrogenated nano-crystalline silicon (nc-Si:H) films fabricated using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) was investigated in this work. The transmittance of the films were measured by spectrophotometric and the E-g was evaluated utilizing three different relations for comparison, namely: alphahnu=C(hnu-E-g)(3), alphahnu=B-0(hnu-E-g)(2), alphahnu=C-0(hnu-E-g)(2). Result showed that E-g decreases with the increasing of Boron doping ratio, hydrogen concentration, and substrate's temperature (T-s), respectively. E-g raises up with rf power density (P-d) from 0.45W.cm(-2) to 0.60w.cm(-2) and then drops to the end. These can be explained for E-g decreases with disorder in the films.
KOS主题词: amorphous silicon
刊名: INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K .Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film ,INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B,2002,16 (28-29):4327-4330
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