高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si
作者: Wang QY;  Tan LW;  Wang J;  Yu YH;  Lin LY
发表日期: 2002
摘要: In this paper, we report the fabrication of Si-based double hetero-epitaxial SOI materials Si/gamma-Al2O3/Si. First, single crystalline gamma-Al2O3 (100) insulator films were grown epitaxially on Si(100) by LPCVD, and then, Si(100) epitaxial films were grown on gamma-Al2O3 (100)/Si(100) epi-substrates using a CVD method similar to silicon on sapphire (SOS) epitaxial growth. The Si/gamma-Al2O3 (100)/Si(100) SOI materials are characterized in detail by RHEED, XRD and AES techniques. The results demonstrate that the device-quality novel SOI materials Si/gamma-Al2O3 (100)/Si(100) has been fabricated successfully and can be used for application of MOS device.
刊名: INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1609.pdf754KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Wang QY; Tan LW; Wang J; Yu YH; Lin LY .Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si ,INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B,2002 ,16 (28-29):4271-4274
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Wang QY]的文章
 [Tan LW]的文章
 [Wang J]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Wang QY]的文章
 [Tan LW]的文章
 [Wang J]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发