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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition
作者: Chen Z;  Lu DC;  Liu XL;  Wang XH;  Han PD;  Wang D;  Yuan HR;  Wang ZG;  Li GH;  Fang ZL
发表日期: 2003
摘要: Investigations on photoluminescence properties of (11 (2) over bar0) GaN grown on (1 (1) over bar 02) Al2O3 substrate by metalorganic chemical-vapor deposition are reported. Several emission lines not reported before are observed at low temperature. The sharp peak at 3.359 eV is attributed to the exciton bound to the neutral acceptor. Another peak at 3.310 eV represents a free-to-bound, probably a free electron-to-acceptor, transition. The 3.241 and 3.170 eV lines are interpreted as phonon replica lines of the 3.310 eV line. The phonon energy is 70 meV, consistent with the energy of transverse optical E-1 phonon. The optical properties of the lines are analyzed. (C) 2003 American Institute of Physics.
KOS主题词: Gallium nitride;  Substrate;  Layer
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Chen Z; Lu DC; Liu XL; Wang XH; Han PD; Wang D; Yuan HR; Wang ZG; Li GH; Fang ZL .Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2003,93 (1):316-319
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