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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate
作者: Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG
发表日期: 2003
摘要: High-quality In0.25Ga0.75As films were grown on low-temperature (LT) ultra-thin GaAs buffer layers formed on GaAs (0 0 1) substrate by molecular beam epitaxy. The epilayers were studied by atomic force microscopy (AFM), photo luminescence (PL) and double crystal X-ray diffraction (DCXRD), All the measurements indicated that LT thin buffer layer technique is a simple but powerful growth technique for heteroepitaxy. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Dislocation;  INTERFACES;  strain;  atomic layer deposition;  atomic layer deposition;  Surface contamination;  Technology;  Behavior;  Metric system;  Silicon
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang ZC; Yang SY; Zhang FQ; Xu B; Zeng YP; Chen YH; Wang ZG .In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2003 ,247 (1-2):126-130
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