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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer
作者: He J;  Zhang YC;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 2003
摘要: The structure and optical properties of In(Ga)As grown with the introduction of InGaAlAs or InAlAs seed dots layers are investigated. The area density and size homogeneity of the upper InGaAs dots are efficiently improved with the introduction of a layer of high-density buried dots. When the GaAs spacer layer is too thin to cover the seed dots, the upper dots exhibit the characterization of a quantum well. By analyzing the growth dynamics, we refer to it as an empty-core structure dot. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Photoluminescence;  atomic layer deposition;  Nanostructured materials;  Scanning tunneling microscopy;  Development
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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He J; Zhang YC; Xu B; Wang ZG .Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2003 ,247 (1-2):49-54
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