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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Silicon nanowires grown on a pre-annealed Si substrate
作者: Zeng XB;  Xu YY;  Zhang SB;  Hu ZH;  Diao HW;  Wang YQ;  Kong GL;  Liao XB
发表日期: 2003
摘要: Polycrystalline Si nanowires (poly SiNWS) were successfully synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at 440degreesC using silane as the Si source and Au as the catalyst. The diameters of Si nanowires range from 15 to 100nm. The growth process indicates that to fabricate SiNWS by PECVD, pre-annealing at high temperature is necessary. A few interesting nanowires with Au nanoclusters uniformly distributed in the body of the wire were also produced by this technique. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Nanostructured materials;  Laser ablation;  Nanowires;  mechanism;  Evaporation;  Hydrometeorology;  vaporisation;  Diameter;  Wire rope
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zeng XB; Xu YY; Zhang SB; Hu ZH; Diao HW; Wang YQ; Kong GL; Liao XB .Silicon nanowires grown on a pre-annealed Si substrate ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2003,247 (1-2):13-16
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