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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High-resolution X-ray diffraction analysis of the Bragg peak integrated intensity in highly mismatched III-N epilayers
作者: Feng G;  Shen XM;  Zhu JJ;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW
发表日期: 2003
摘要: A new method of measuring the thickness of GaN epilayers on sapphire (0 0 0 1) substrates by using double crystal X-ray diffraction was proposed. The ratio of the integrated intensity between the GaN epilayer and the sapphire substrate showed a linear relationship with the GaN epilayer thickness up to 2.12 mum. It is practical and convenient to measure the GaN epilayer thickness using this ratio, and can mostly eliminate the effect of the reabsorption, the extinction and other scattering factors of the GaN epilayers. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: X-ray crystallography;  Metal organic chemical vapor deposition;  Nitrides;  Development
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Feng G; Shen XM; Zhu JJ; Zhang BS; Zhao DG; Wang YT; Yang H; Liang JW .High-resolution X-ray diffraction analysis of the Bragg peak integrated intensity in highly mismatched III-N epilayers ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2003,250 (3-4):354-358
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