高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
作者: Sun YP;  Shen XM;  Zhang ZH;  Zhao DG;  Feng ZH;  Fu Y;  Zhang SN;  Yang H
发表日期: 2003
摘要: The Principle of optical thin film was used to calculate the feasibility of improving the light extraction efficiency of GaN/GaAs optical devices by wafer-bonding technique. The calculated results show that the light extraction efficiency of bonded samples can be improved by 2.66 times than the as-grown GaN/GaAs samples when a thin Ni layer was used as adhesive layer and Ag layer as reflective layer. Full reflectance spectrum comparison shows that reflectivity for the incident light of 459.2 nm of the bonded samples was improved by 2.4 times than the as-grown samples, which is consistent with the calculated results.
KOS主题词: Light emitting diodes;  mirror
刊名: JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1567.pdf1909KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Sun YP; Shen XM; Zhang ZH; Zhao DG; Feng ZH; Fu Y; Zhang SN; Yang H .Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate ,JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY,2003,42(0):S753-S756
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Sun YP]的文章
 [Shen XM]的文章
 [Zhang ZH]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Sun YP]的文章
 [Shen XM]的文章
 [Zhang ZH]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发