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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Semiconductor optical amplifier optical gate with graded strained bulk-like active structure
作者: Zhang RY;  Dong J;  Feng ZW;  Zhou F;  Tian HL;  Shu HY;  Zhao LJ;  Bian J;  Wang W
发表日期: 2003
摘要: A novel semiconductor optical amplifier (SOA) optical gate with a graded strained bulk-like active structure is proposed. A fiber-to-fiber gain of 10 dB when the coupling loss reaches 7 dB/factet and a polarization insensitivity of less than 0.9 dB for multiwavelength and different power input signals over the whole operation current are obtained. Moreover, for our SOA optical gate, a no-loss current of 50 to 70 mA and an extinction ratio of more than 50 dB are realized when the injection current is more than no-loss current, and the maximum extinction ratio reaches 71 dB, which is critical for crosstalk suppression. (C) 2003 society of Photo-Optical Instrumentation Engineers.
KOS主题词: gain
刊名: OPTICAL ENGINEERING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang RY; Dong J; Feng ZW; Zhou F; Tian HL; Shu HY; Zhao LJ; Bian J; Wang W .Semiconductor optical amplifier optical gate with graded strained bulk-like active structure ,OPTICAL ENGINEERING,2003,42 (3):798-802
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