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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: (Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition
作者: Zhang FQ;  Chen NF;  Liu XG;  Liu ZK;  Yang SY;  Cha CL
发表日期: 2003
摘要: The (Ga,Mn,N) samples were grown by the implantation of low-energy Mn ions into GaN/Al2O3 substrate at different elevated substrate temperatures with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition system. Auger electron spectroscopy depth profile of samples grown at different substrate temperatures indicates that the Mn ions reach deeper in samples with higher substrate temperatures. Clear X-ray diffraction peak from (Ga,Mn)N is observed in samples grown at the higher substrate temperature. It indicates that under optimized substrate temperature and annealing conditions the solid solution (Ga,Mn)N phase in samples was formed with the same lattice structure as GaN and different lattice constant. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: X-ray crystallography;  Diluted magnetic semiconductors;  Ferromagnetism;  Injection;  Gallium arsenide;  Manganese
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL .(Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2003,252 (1-3):202-207
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