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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition
作者: He J;  Wang XD;  Xu B;  Wang ZG;  Qu SC
发表日期: 2003
摘要: We report the morphology of an InGaAs nanostructure grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition. Atomic force microscopy images clearly show that varying monolayer deposition per cycle has significant influence on the size, density and shape of the InGaAs nanostructure. Low-temperature photoluminescence spectra show the effect of n on the optical quality, and 1.35mum photoluminescence with a linewidth of only 19.2meV at room temperature has been achieved in the (InAs)(1)/(GaAs)(1) structure.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Quantum dots;  Photoluminescence;  Anatomy;  Chrysanthemum morifolium;  Gallium arsenide;  Lasers;  Temperature;  States;  Cantons
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC .Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition ,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,2003,42 (3):1154-1157
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