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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Resonant tunneling of holes in GaMnAs-related double- barrier structures
作者: Wu HB;  Chang K;  Xia JB;  Peeters FM
发表日期: 2003
摘要: Using the multiband quantum transmitting boundary method (MQTBM), hole resonant tunneling through AlGaAs/GaMnAs junctions is investigated theoretically. Because of band-edge splitting in the DMS layer, the current for holes with different spins are tuned in resonance at different biases. The bound levels of the "light" hole in the quantum well region turned out to be dominant in the tunneling channel for both "heavy" and "light" holes. The resonant tunneling structure can be used as a spin filter for holes for adjusting the Fermi energy and the thickness of the junctions.
KOS主题词: Zeeman effect;  Approximation
刊名: JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu HB; Chang K; Xia JB; Peeters FM .Resonant tunneling of holes in GaMnAs-related double- barrier structures ,JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY,2003 ,16 (2):279-282
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