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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts
作者: Wang J;  Zhao DG;  Sun YP;  Duan LH;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhou SQ;  Wu MF
发表日期: 2003
摘要: The structural evolution and temperature dependence of the Schottky barrier heights of Pt contacts on n-GaN epilayer at various annealing temperatures were investigated extensively by Rutherford backscattering spectrometry, x-ray diffraction measurements, Auger electron spectroscopy, scanning electron microscopy and current-voltage measurements. The temperature dependence of the Schottky barrier heights may be attributed to changes of surface morphology of Pt films on the surface and variation of nonstoichiometric defects at the interface vicinity. Experimental results indicated the degradation of Pt contacts on n-GaN above 600 degreesC.
KOS主题词: Diodes;  Palladium
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang J; Zhao DG; Sun YP; Duan LH; Wang YT; Zhang SM; Yang H; Zhou SQ; Wu MF .Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2003,36 (8):1018-1022
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