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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures
作者: Wang YG;  Li W;  Han PD;  Zhang Z
发表日期: 2003
摘要: Condensed clusters of point defects within an InGaN/AlGaN double heterostructure grown by metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire substrate have been observed using transmission electron microscopy. The existence of voids results in failure of the heterostructure in electroluminescence. The voids are 50-100 nm in diameter and are distributed inhomogeneously within In0.25Ga0.75N/AlGaN active layers. The density of the voids was measured as 10(15) cm(-3), which corresponds to a density of dangling bonds of 10(20) cm(-3). These dangling bonds may fully deplete free carriers in this double heterostructure and result in the heterostructure having high resistivity as confirmed by electrical measurement. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Defects;  Metal organic chemical vapor deposition;  Nitrides;  Light emitting diodes;  Light emitting diodes;  Vapor phase epitaxy;  Gallium nitride;  Potential scattering;  Defects;  Luminescence
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang YG; Li W; Han PD; Zhang Z .Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2003,253 (1-4):404-412
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