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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing
作者: Zhang ZY;  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Meng XQ;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG
发表日期: 2003
摘要: We have studied how the optical properties of InAs self-assembled quantum dots (QDs) grown on GaAs substrate are affected when depositing an InAlAs/InGaAs combination overgrowth layer directly on it by rapid thermal annealing (RTA). The photoluminescence measurement demonstrated that the InAs QDs experiences an abnormal variation during the course of RTA. The model of transformation of InAs-InAlAs-InGaAlAs could be used to well explain the phenomena. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Nanostructured materials;  Quantum dots;  atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang ZY; Jin P; Li CM; Ye XL; Meng XQ; Xu B; Liu FQ; Wang ZG .The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2003,253 (1-4):59-63
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