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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium
作者: Zhou JP;  Chen NF;  Song SL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Lin LY
发表日期: 2003
摘要: The magnetic/nonmagnetic p-n junction was prepared by implanting gadolinium into the n-type silicon with low-energy dual-ion-beam epitaxy technology. The magnetic layer GdxSi1-x shows excellent magnetic properties at room temperature. High magnetic moment 10mu(B) per Gd atom is observed, which is interpreted by RKKY mechanism. Magnetic/nonmagnetic p-n junctions show rectifying behaviour, but no magnetoresistance is observed.
KOS主题词: Anderson model;  Semiconductors;  Bombardment;  Magnetoresistance;  Alloys
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY .Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium ,ACTA PHYSICA SINICA,2003 ,52 (6):1469-1473
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