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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Magnetic properties of silicon doped with gadolinium
作者: Zhou JP;  Chen NF;  Song SL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Lin LY
发表日期: 2003
摘要: The magnetic semiconductor GdxSi1-x was prepared by low-energy dual ion-beam epitaxy. GdxSi1-x shows excellent magnetic properties at room temperature. A high magnetic moment of 10 mu(B) per Gd atom is observed. The high atomic magnetic moment is interpreted as being a result of the RKKY mechanism. The indirect exchange interaction between ions is strong at large distances due to the low state density of the carriers in the magnetic semiconductor.
KOS主题词: Anderson model;  Photography--Films;  Finite volume method;  Magnetoresistance;  Temperature;  Alloys
刊名: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY .Magnetic properties of silicon doped with gadolinium ,APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,2003 ,77 (3-4):599-602
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