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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique
作者: Feng G;  Zhu JJ;  Shen XM;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW
发表日期: 2003
摘要: In this paper we propose a new method for measuring the thickness of the GaN epilayer, by using the ratio of the integrated intensity of the GaN epilayer X-ray diffraction peaks to that of the sapphire substrate ones. This ratio shows a linear dependence on the GaN epilayer thickness up to 2 mum. The new method is more accurate and convenient than those of using the relationship between the integrated intensity of GaN epilayer diffraction peaks and the GaN thickness. Besides, it can eliminate the absorption effect of the GaN epilayer.
KOS主题词: X-ray crystallography;  Thickness;  Aluminum oxide;  Development;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: SCIENCE IN CHINA SERIES G-PHYSICS ASTRONOMY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Feng G; Zhu JJ; Shen XM; Zhang BS; Zhao DG; Wang YT; Yang H; Liang JW .Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique ,SCIENCE IN CHINA SERIES G-PHYSICS ASTRONOMY,2003 ,46 (4):437-440
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