高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Improving response speed of electrooptical switch in silicon-on-insulator by modifying modulation area structure
作者: Yan QF;  Yu JZ
发表日期: 2003
摘要: This paper reports on the simulation of two 2 x 2 electrooptical switches with different modulation area structures in silicon-on-insulator (SOI). A two-dimensional (2D) semiconductor device simulation tool PISCES-II has been used to analyze the dc and transient behaviors of the two devices. The modeling results show that the switch with an N+-I-P+-I-N+ modulation structure has a much faster response speed than the device with a P+-I-N+ modulation structure, although the former requires slightly stronger injection power.
KOS主题词: semiconductor-insulator boundaries;  waveguide;  Heraldry
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1490.pdf71KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Yan QF; Yu JZ .Improving response speed of electrooptical switch in silicon-on-insulator by modifying modulation area structure ,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,2003,42 (7A):4361-4362
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Yan QF]的文章
 [Yu JZ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Yan QF]的文章
 [Yu JZ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发