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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
作者: Gong Z;  Fang ZD;  Xu XH;  Miao ZH;  Niu ZC;  Feng SL
发表日期: 2003
摘要: We have investigated the effect of different cap layers on the photoluminescence (PL) of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs). Based upon different cap layers, the wavelength of InAs QDs can be tuned to the range from 1.3 to 1.5 mum. An InAlAs and InGaAs combination layer can enlarge the energy separation between the ground and first excited radiative transition. GaAs/InAs short period superlattices (SLs) make the emission wavelength shift to 1.53 mum. The PL intensity of InAs QDs capped with GaAs/InAs SLs shows an anomalous increase with increasing temperature. We attribute this to the transfer of carriers between different QDs.
KOS主题词: Islands;  Photoluminescence
刊名: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Gong Z; Fang ZD; Xu XH; Miao ZH; Niu ZC; Feng SL .Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled InAs/GaAs quantum dots ,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,2003,15 (31):5383-5388
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