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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers
作者: Zhang W;  Xu YQ;  Wu RH
发表日期: 2003
摘要: Based on the band-anticrossing model, the effect of the strain-compensated layer and the strain-mediated layer on the band structure, the gain, and the differential gain of GaInNAs-GaAs quantum well lasers have been investigated. Different band-filling mechanisms have been illustrated. Compared to the GaInNAs-GaAs single quantum well with the same wavelength,, the introduction. (if the strain-compensated layer and the strain-mediated layer increases the transparency carrier density. However, these multilayer structures help to suppress the degradation of the differential gain.
KOS主题词: Energy bands;  Optical gain;  strain;  Temperature;  Diodes;  Alloys;  off-set
刊名: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang W; Xu YQ; Wu RH .Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers ,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,2003,15 (10):1336-1338
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