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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Realization of low threshold of InGaAs/InAlAs quantum cascade laser
作者: Li CM;  Liu FQ;  Lin P;  Wang ZG
发表日期: 2003
摘要: By optimizing the molecule beam epitaxy growth condition, the quality of quantum cascade (QC) material has greatly been improved. The spectrum of double x-ray diffraction indicates that the interface between the constituent layers is very smooth, the lattice mismatch between the epilayer and the substrate is less than 0.1%, and the periodicity fluctuation of the active region is not more than 4.2%. The QC laser with the emission wavelength of about 5.1 mum is operated at the threshold of 0.73 kA/cm(2) at liquid nitrogen temperature with the repetition rate of 10kHz and at a duty cycle of 1%. Meanwhile, the performance of the laser can be improved with suitable post process techniques such as the metallic ohmic contact technology.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li CM; Liu FQ; Lin P; Wang ZG .Realization of low threshold of InGaAs/InAlAs quantum cascade laser ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2003,20 (9):1478-1481
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