高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Self-organized InAs quantum wires on GaAs (331)A substrates
作者: Gong Z;  Fang ZD;  Miao ZH;  Niu ZC;  Feng SL
发表日期: 2003
摘要: Self-organized InAs quantum wires (QWRs) were fabricated on the step edges of the GaAs (331)A surface by molecular beam epitaxy. The lateral size of InAs QWRs was saturated by the terrace width (i.e., 90 nm) while the size along the step lines increased with the increasing thicknesses of the InAs layers, up to 1100 nm. The height of InAs QWRs varied from 7.9 nm to 13 nm. The evolution of the morphology of InAs QWRs was attributed to the diffusion anisotropy of In adatoms.
KOS主题词: Photoluminescence
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1465.pdf1121KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Gong Z; Fang ZD; Miao ZH; Niu ZC; Feng SL .Self-organized InAs quantum wires on GaAs (331)A substrates ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2003 ,20 (10):1819-1821
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Gong Z]的文章
 [Fang ZD]的文章
 [Miao ZH]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Gong Z]的文章
 [Fang ZD]的文章
 [Miao ZH]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发