高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Diode-pumped passively Q-switched Yb : YAG microchip laser with a GaAs as saturable absorber
作者: Zhang QL;  Feng BH;  Zhang DX;  Fu PM;  Zhang ZG;  Zhao ZW;  Deng PZ;  Jun X;  Xu XD;  Wang YG;  Ma XY
发表日期: 2003
摘要: A passively Q-switched Yb: YAG microchip laser has been constructed by using a doped GaAs as the saturable absorber as well as the output coupler. At 13.5 W of pump power the device produces high-quality 3.4 muJ 52 ns pulses at 1030nm with a pulse repetition rate of 7.8kHz in a TEM00-mode.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1463.pdf393KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Zhang QL; Feng BH; Zhang DX; Fu PM; Zhang ZG; Zhao ZW; Deng PZ; Jun X; Xu XD; Wang YG; Ma XY .Diode-pumped passively Q-switched Yb : YAG microchip laser with a GaAs as saturable absorber ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2003 ,20 (10):1741-1743
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Zhang QL]的文章
 [Feng BH]的文章
 [Zhang DX]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Zhang QL]的文章
 [Feng BH]的文章
 [Zhang DX]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发