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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents
作者: Qiu ZJ;  Jiang CP;  Gui YS;  Shu XZ;  Guo SL;  Chu JH;  Cui LJ;  Zeng YP;  Zhu ZP;  Wang BQ
发表日期: 2003
摘要: Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT). We have investigated the variations of subband electron mobility and concentration versus temperature from Shubnikov-de Hass oscillations., and variable temperature Hall measurements. The results indicate that the electrical performance is the best when the In content is 0.65 in the channel for MM-HEMT. When the In content exceeds 0.65, a large lattice mismatch will cause dislocations and result in the decrease of mobility and the fall of performance in materials and devices.
KOS主题词: Gallium arsenide
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Qiu ZJ; Jiang CP; Gui YS; Shu XZ; Guo SL; Chu JH; Cui LJ; Zeng YP; Zhu ZP; Wang BQ .Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents ,ACTA PHYSICA SINICA,2003,52 (11):2879-2882
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