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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Silicon doping induced increment of quantum dot density
作者: Duan RF;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Zeng Y
发表日期: 2003
摘要: Low-indium-content self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots (SAQD) were grown using solid-source molecular beam epitaxy (MBE) and investigated by atomic force microscopy and photoluminescence (PL) spectroscopy. Silicon, which was doped at different quantum dot (QD) growth stages, markedly increased the density of QD. We obtained high density In0.35Ga0.65As/GaAs(001) quantum dots of 10(11)/cm(2) at a growth temperature of 520degreesC. PL spectra and distribution statistics show the high quality and uniformity of our silicon-doped samples. The density increment can be explained using the lattice-hardening mechanism due to silicon doping.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Silicon;  doping;  Density;  Islands;  Gallium arsenide
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Duan RF; Wang BQ; Zhu ZP; Zeng Y .Silicon doping induced increment of quantum dot density ,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,2003,42 (10):6314-6318
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