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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
作者: Zhao J (Zhao Jie);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Liu C (Liu Chao);  Cui LJ (Cui Lijie);  Li YB (Li Yanbo)
发表日期: 2010
KOS主题词: atomic layer deposition;  Reflection high energy electron diffraction;  X-ray crystallography;  Atomic force microscopy;  Vapor phase epitaxy;  Layers;  Surface;  Temperature;  Substrate
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Optimization of VIII pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy.pdf1068KbAdobe PDF 联系获取全文


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Zhao J (Zhao Jie), Zeng YP (Zeng Yiping), Liu C (Liu Chao), Cui LJ (Cui Lijie), Li YB (Li Yanbo) .Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy.APPLIED SURFACE SCIENCE,2010,256(22):6881-6886
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