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题名: Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire
作者: Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.);  Wang JX (Wang J. X.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang GH (Wang G. H.);  Li JM (Li J. M.)
发表日期: 2010
KOS主题词: Atomic force microscopy
刊名: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
专题: 中科院半导体照明研发中心_期刊论文

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Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire.pdf579KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wei TB (Wei T. B.), Hu Q (Hu Q.), Duan RF (Duan R. F.), Wei XC (Wei X. C.), Yang JK (Yang J. K.), Wang JX (Wang J. X.), Zeng YP (Zeng Y. P.), Wang GH (Wang G. H.), Li JM (Li J. M.).Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire.JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,2010,157(7):H721-H726
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