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SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Intrinsically limited critical temperatures of highly doped Ga1-xMnxAs thin films
作者: Khazen K (Khazen Kh.);  von Bardeleben HJ (von Bardeleben H. J.);  Cantin JL (Cantin J. L.);  Mauger A (Mauger A.);  Chen L (Chen L.);  Zhao JH (Zhao J. H.)
发表日期: 2010
KOS主题词: Curie temperature;  Renormalization group;  critical exponents;  Alloys;  State;  Semiconductors
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 半导体超晶格国家重点实验室 _期刊论文

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Khazen K (Khazen Kh.), von Bardeleben HJ (von Bardeleben H. J.), Cantin JL (Cantin J. L.), Mauger A (Mauger A.), Chen L (Chen L.), Zhao JH (Zhao J. H.).Intrinsically limited critical temperatures of highly doped Ga1-xMnxAs thin films.PHYSICAL REVIEW B,2010,81(23):Art. No. 235201
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