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题名: Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN
作者: Hou QF (Hou Qi-Feng);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Xiao;  HL (Xiao Hong-Ling);  Wang CM (Wang Cui-Mei);  Yang CB (Yang Cui-Bai);  Li JM (Li Jin-Min)
发表日期: 2010
KOS主题词: deep impurities;  Deep level transient spectroscopy;  Selenides;  Defects
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 半导体材料科学中心_期刊论文

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Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN.pdf447KbAdobe PDF 联系获取全文


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Hou QF (Hou Qi-Feng), Wang XL (Wang Xiao-Liang), Xiao, HL (Xiao Hong-Ling), Wang CM (Wang Cui-Mei), Yang CB (Yang Cui-Bai), Li JM (Li Jin-Min).Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN.CHINESE PHYSICS LETTERS,2010,27(5):Art. No. 057104
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