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题名: Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
作者: Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Jiang XW (Jiang Xiang-Wei);  Tang LM (Tang Li-Ming)
发表日期: 2010
KOS主题词: Digital computer simulation;  Transistors;  Limit;  Nm
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 半导体超晶格国家重点实验室 _期刊论文

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Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs.pdf523KbAdobe PDF 联系获取全文


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Deng HX (Deng Hui-Xiong), Jiang XW (Jiang Xiang-Wei), Tang LM (Tang Li-Ming) .Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs.CHINESE PHYSICS LETTERS,2010,27(5):Art. No. 057101
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