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题名: Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
作者: Wu CM (Wu ChaoMin);  Shang JZ (Shang JingZhi);  Zhang BP (Zhang BaoPing);  Zhang JY (Zhang JiangYong);  Yu JZ (Yu JinZhong);  Wang QM (Wang QiMing)
发表日期: 2010
KOS主题词: atomic layer deposition;  Mirrors;  Nitrides
刊名: SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlNGaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition.pdf652KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wu CM (Wu ChaoMin), Shang JZ (Shang JingZhi), Zhang BP (Zhang BaoPing), Zhang JY (Zhang JiangYong), Yu JZ (Yu JinZhong), Wang QM (Wang QiMing) .Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition.SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES,2010,53(2):313-316
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