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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films
作者: Liu B;  Zhang Z;  Zhang R;  Fu DY;  Xie ZL;  Lu H;  Schaff WJ;  Song LH;  Cui YC;  Hua XM;  Han P;  Zheng YD;  Chen YH;  Wang ZG
发表日期: 2010
KOS主题词: Energy bands;  temperature dependence;  Water-power;  Force and energy;  Semiconductors;  Infrared spectra;  Spectrum analysis;  Epitaxy;  Development;  Layers
刊名: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films.pdf431KbAdobe PDF 联系获取全文


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Liu B, Zhang Z, Zhang R, Fu DY, Xie ZL, Lu H, Schaff WJ, Song LH, Cui YC, Hua XM, Han P, Zheng YD, Chen YH, Wang ZG.Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films.APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,2010,99(1):139-143
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