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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: A Low-Voltage Silicon Light Emitting Device in Standard Salicide CMOS Technology
作者: Wang W (Wang Wei);  Huang BJ (Huang Bei-Ju);  Dong Z (Dong Zan);  Liu HJ (Liu Hai-Jun);  Zhang X (Zhang Xu);  Guan N (Guan Ning);  Chen J (Chen Jin);  Guo WL (Guo Wei-Lian);  Niu PJ (Niu Ping-Juan);  Chen HD (Chen Hong-Da)
发表日期: 2010
KOS主题词: metallic superlattices
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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A Low-Voltage Silicon Light Emitting Device in Standard Salicide CMOS Technology.pdf871KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wang W (Wang Wei), Huang BJ (Huang Bei-Ju), Dong Z (Dong Zan), Liu HJ (Liu Hai-Jun), Zhang X (Zhang Xu), Guan N (Guan Ning), Chen J (Chen Jin), Guo WL (Guo Wei-Lian), Niu PJ (Niu Ping-Juan), Chen HD (Chen Hong-Da) .A Low-Voltage Silicon Light Emitting Device in Standard Salicide CMOS Technology.CHINESE PHYSICS LETTERS, 27 (4): APR 2010,2010,27(4):Art. No. 048501
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