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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers
作者: Jahn U;  Brandt O;  Luna E;  Sun X;  Wang H;  Jiang DS;  Bian LF;  Yang;  H
发表日期: 2010
KOS主题词: Alloys
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)NGaN heteroepitaxial layers.pdf660KbAdobe PDF 联系获取全文


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Jahn U, Brandt O, Luna E, Sun X, Wang H, Jiang DS, Bian LF, Yang, H.Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers.PHYSICAL REVIEW B,2010,81(12):Art. No. 125314
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