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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111)
作者: Wang H (Wang Hui);  Liang H (Liang Hu);  Wang Y (Wang Yong);  Ng KW (Ng Kar-Wei);  Deng DM (Deng Dong-Mei);  Lau KM (Lau Kei-May)
发表日期: 2010
KOS主题词: Vapor phase epitaxy;  stress control;  sedimentation;  Reduction;  Thickness;  Nitrides;  Layers
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Effects of AlGaNAlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111).pdf424KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wang H (Wang Hui), Liang H (Liang Hu), Wang Y (Wang Yong), Ng KW (Ng Kar-Wei), Deng DM (Deng Dong-Mei), Lau KM (Lau Kei-May) .Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111).CHINESE PHYSICS LETTERS,2010,27(3):Art. No. 038103
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