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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs
作者: Zhu B (Zhu Bin);  Han Q (Han Qin);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  He JF (He Ji-Fang);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wang X (Wang Xin);  Wang XP (Wang Xiu-Ping);  Wang J (Wang Jie)
发表日期: 2010
KOS主题词: atomic layer deposition;  buffer layers;  Thermionic emission;  Photodiodes;  Lasers
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs .pdf462KbAdobe PDF 联系获取全文


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Zhu B (Zhu Bin), Han Q (Han Qin), Yang XH (Yang Xiao-Hong), Ni HQ (Ni Hai-Qiao), He JF (He Ji-Fang), Niu ZC (Niu Zhi-Chuan), Wang X (Wang Xin), Wang XP (Wang Xiu-Ping), Wang J (Wang Jie).Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs .CHINESE PHYSICS LETTERS,2010,27(3):Art. No. 038504
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