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题名: A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE
作者: Guo Y;  Liu XL;  Song HP;  Yang AL;  Xu XQ;  Zheng GL;  Wei HY;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG
发表日期: 2010
KOS主题词: atomic layer deposition;  atomic layer deposition;  Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  phase separation;  Temperature;  Photography--Films;  Finite volume method;  Heterostructures;  Solubility
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE.pdf501KbAdobe PDF 联系获取全文


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推荐引用方式:
Guo Y, Liu XL, Song HP, Yang AL, Xu XQ, Zheng GL, Wei HY, Yang SY, Zhu QS, Wang ZG.A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE.APPLIED SURFACE SCIENCE,2010,256(10):3352-3356
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