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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Ferromagnetic modification of GaN film by Cu+ ions implantation
作者: Zhang B;  Chen CC;  Yang C;  Wang JZ;  Shi LQ;  Cheng HS;  Zhao DG
发表日期: 2010
KOS主题词: Manganese;  Chromium
刊名: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Ferromagnetic modification of GaN film by Cu+ ions implantation.pdf673KbAdobe PDF浏览/下载


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推荐引用方式:
Zhang B, Chen CC, Yang C, Wang JZ, Shi LQ, Cheng HS, Zhao DG.Ferromagnetic modification of GaN film by Cu+ ions implantation.NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS,2010,268(2):123-126
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