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题名: Tuning the Exciton Binding Energies in Single Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots by Piezoelectric-Induced Biaxial Stress
作者: Ding F;  Singh R;  Plumhof JD;  Zander T;  Krapek V;  Chen YH;  Benyoucef M;  Zwiller V;  Dorr K;  Bester G;  Rastelli A;  Schmidt OG
发表日期: 2010
刊名: PHYSICAL REVIEW LETTERS
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Tuning the Exciton Binding Energies in Single Self-Assembled InGaAsGaAs Quantum Dots by Piezoelectric-Induced Biaxial Stress.pdf1126KbAdobe PDF 联系获取全文


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推荐引用方式:
Ding F, Singh R, Plumhof JD, Zander T, Krapek V, Chen YH, Benyoucef M, Zwiller V, Dorr K, Bester G, Rastelli A, Schmidt OG.Tuning the Exciton Binding Energies in Single Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots by Piezoelectric-Induced Biaxial Stress.PHYSICAL REVIEW LETTERS,2010,104(6):Art. No. 067405
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