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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
作者: Ji HM (Ji Hai-Ming);  Yang T (Yang Tao);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Ma;  WQ (Ma Wen-Quan);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
发表日期: 2010
KOS主题词: room temperature;  Dependency;  Photoluminescence
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAsGaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy.pdf623KbAdobe PDF 联系获取全文


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Ji HM (Ji Hai-Ming), Yang T (Yang Tao), Cao YL (Cao Yu-Lian), Xu PF (Xu Peng-Fei), Gu YX (Gu Yong-Xian), Ma, WQ (Ma Wen-Quan), Wang ZG (Wang Zhan-Guo).High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy.CHINESE PHYSICS LETTERS,2010,27(2):Art. No. 027801
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