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SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
作者: Xu PF (Xu Peng-Fei);  Yang T (Yang Tao);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Gu;  YX (Gu Yong-Xian);  Liu Y (Liu Yu);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
发表日期: 2010
KOS主题词: ab initio calculations;  Electrooptical devices;  quantum cascade lasers;  well;  gain
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m InAsGaAs quantum dot lasers.pdf463KbAdobe PDF 联系获取全文


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Xu PF (Xu Peng-Fei), Yang T (Yang Tao), Ji HM (Ji Hai-Ming), Cao YL (Cao Yu-Lian), Gu, YX (Gu Yong-Xian), Liu Y (Liu Yu), Ma WQ (Ma Wen-Quan), Wang ZG (Wang Zhan-Guo).Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,107(1):Art. No. 013102
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