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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector
作者: Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Wang;  H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H
发表日期: 2010
KOS主题词: Mathematical models;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: : JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector.pdf319KbAdobe PDF 联系获取全文


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推荐引用方式:
Zhao DG, Jiang DS, Zhu JJ, Wang, H, Liu ZS, Zhang SM, Yang H.Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector.: JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2010,492(1-2):300-302
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