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SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室  > 期刊论文

题名: Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer
作者: Wu YX (Wu Yu-Xin);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Chen GF (Chen Gui-Feng);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Wang H (Wang Hui);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Yang H (Yang Hui)
发表日期: 2010
KOS主题词: atomic layer deposition;  stress control;  sedimentation;  Film;  reactively sputtered coatings
刊名: CHINESE PHYSICS B
专题: 集成光电子学国家重点实验室_期刊论文

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Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer.pdf2176KbAdobe PDF 联系获取全文


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Wu YX (Wu Yu-Xin), Zhu JJ (Zhu Jian-Jun), Chen GF (Chen Gui-Feng), Zhang SM (Zhang Shu-Ming), Jiang DS (Jiang De-Sheng), Liu ZS (Liu Zong-Shun), Zhao DG (Zhao De-Gang), Wang H (Wang Hui), Wang YT (Wang Yu-Tian), Yang H (Yang Hui) .Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer.CHINESE PHYSICS B,2010,19(3):Art. No. 036801
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