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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 成果

成果名称: 掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备
主要完成人: 梁骏吾;  邓礼生;  郑红军;  黄大定;  栾洪发
获奖日期: 1988
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_成果

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梁骏吾;邓礼生;郑红军;黄大定;栾洪发.掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备.1988
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