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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness
作者: Lei W;  Chen YH;  Wang YL;  Huang XQ;  Zhao C;  Liu JQ;  Xu B;  Jin P;  Zeng YP;  Wang ZG
发表日期: 2005
摘要: We report on the photoluminescence (PL) properties of InAs/InAlAs/InP quantum wires (QWRs) with various InAs deposited thickness. The PL linewidth of the QWRs decreases with increasing InAs deposited thickness due to the different thicknesses of the QWRs and defects in the samples. The defects and lateral composition modulation of the InAlAs layers play an important role in the temperature-dependent PL properties of the samples. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Defects;  Photoluminescence;  atomic layer deposition;  Nanowires;  Heterostructures;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  alpha-particle spectra;  Optical spectrometers;  Spectrum analysis;  WAVELENGTH
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Lei W; Chen YH; Wang YL; Huang XQ; Zhao C; Liu JQ; Xu B; Jin P; Zeng YP; Wang ZG .Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2005,286(1):23-27
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