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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Realization of GaAs/AlGaAs quantum-cascade lasers with high average optical power
作者: Liu JQ;  Liu FQ;  Lu XZ;  Guo Y;  Wang ZG
发表日期: 2005
摘要: Quasi-continuous-wave operation of GaAs/AlGaAs quantum-cascade lasers with high average optical power is demonstrated. Double X-ray diffraction has been used to investigate the quality of the epitaxial material. The compositional gradients and the interface quality are controlled effectively. The corrected average power of per facet about 17 mW and temperature tuning coefficient of the gain peak about 0.91 nm/K from 83 K to 140 K is achieved in pulse operation. Best value of threshold current density is less than 3.0 kA/cm(2) at 83 K. (C) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: X-ray crystallography;  atomic layer deposition;  Chrysanthemum morifolium;  Operation
刊名: SOLID-STATE ELECTRONICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu JQ; Liu FQ; Lu XZ; Guo Y; Wang ZG .Realization of GaAs/AlGaAs quantum-cascade lasers with high average optical power ,SOLID-STATE ELECTRONICS,2005,49(12):1961-1964
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