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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
作者: Sun Z;  Xu ZY;  Yang XD;  Sun BQ;  Ji Y;  Zhang SY;  Ni HQ;  Niu ZC
发表日期: 2006
摘要: The influence of nonradiative recombination on the photoluminescence (PL) decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells is studied by time-resolved photoluminescence under various excitation intensities. It is found that the PL decay process strongly depends on the excitation intensity. In particular, under the moderate excitation levels the PL decay curves exhibit unusual nonexponential behavior and show a convex shape. By introducing a new parameter of the effective concentration of nonradiative recombination centers into a rate equation, the observed results are well simulated. The cw PL data further demonstrate the nonradiative recombination effect on the optical properties of GaInNAs/GaAs quantum wells. (c) 2006 American Institute of Physics.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun Z; Xu ZY; Yang XD; Sun BQ; Ji Y; Zhang SY; Ni HQ; Niu ZC .Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2006,88(1):Art.No.011912
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